南宫NG28

◉      为什么芯片需要防静电

　　静电是环境中的自然现象，是电荷在物体中的不平衡分布的一种现象。物体带电后，电荷会保持在物体上，故称为静电。静电积累之后，当物体电位不同，电荷通过瞬间电流发生转移的过程即为放电。

　　半导体产品具有非常细小的线路，为了避免芯片在生产或使用过程中被静电放电所损伤，在集成电路内皆有制作静电放电防护电路。随着半导体产业先进制程发展推进，芯片尺寸不断缩小，ESD耐压能力是否同步提升，在静电防护的能力上也备受挑战，ESD测试是半导体产品先期质量验证的重要关键指针。

　　CTI南宫NG28检测已通过CNAS/ISO17025/ISO9001资质认可，ANSI/ESD S20.20静电防护体系认证。可为您提供芯片防静电能力测试，测试数据准确可靠，实验室信息管理系统，保障每个服务环节的高效、保密运转。

◉      芯片防静电能力测试

　　芯片放电模拟测试:

　　━模拟因人体在地上走动磨擦或其他因素，在人体上已累积了静电，当此人去碰触到芯片时，人体上的静电便会经由芯片的pin脚进入芯片内，再经由芯片放电到地去，瞬间产生的电流可能造成芯片的损毁。

　　━模拟机器设备本身累积了静电，当此机器去碰触到芯片时，该静电便经由芯片的pin脚放电。因机械等效电阻为0奥姆，因此瞬间产生的电流更大，对芯片的破坏力也强。

　　━芯片先因磨擦或其他因素而在内部累积了静电，但在静电累积的过程中并未被损伤。当此带有静电的芯片在使用时，其pin脚碰触到接地面时，芯片内部的静电便会经由pin脚自芯片内部流出来，而造成了放电的现象。

　　━瞬间电流被锁定或者放大，而造成芯片在电源与对地之间造成短路，而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高，电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。

　　适用测试标准:协助客户通过JEDEC、MIL—STD、AEC-Q等可靠性国际试验标准。

　　适用产品范围:集成电路芯片、晶体管、MOS管…等。

　　常规样品要求:以具体标准为准。

　　检测项目:

　　━人体静电测试(HBM，Human Body Model)

　　━机械静电测试(MM，Machine Model)

　　━充电放电测试(CDM，Charged Device Model)

　　━闩锁效应(Latch-up)

　　━传输线脉冲(TLP，Transmission Line Pulse)

　　解决方案:

　　━1.ESD实验设计

　　━2.ESD测试

　　━3.数据分析与汇整报告

　　━4.ESD培训及咨询