闩锁效应Latch-up，是指瞬间电流被锁定或者放大，而造成芯片在电源与对地之间造成短路，而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高，电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。CTI南宫NG28检测提供完整的半导体产品芯片可靠性试验项目，协助客户通过JEDEC、MIL—STD、AEC-Q等可靠性国际试验标准。
◉ 什么是闩锁测试
所谓的闩锁效应Latch-up，是指瞬间电流被锁定或者放大，而造成芯片在电源与对地之间造成短路，而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高，电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。此外，目前半导体业界部分认为客退品中经常出现的EOS(Electrical Over Stress)问题与闩锁测试有相当程度关联，因此此项测试变得非常重要。
◉ 测试标准
闩锁测试主要参考JEDEC 78规范以及AEC-Q100-004之定义，其中在车用电子的测试中，定义必须使用Class II，即最高环境温度条件(Maximum Operation Temperature)，较传统常温更为严格。
CTI南宫NG28检测提供完整的半导体产品芯片可靠性试验项目，协助客户通过JEDEC、MIL—STD、AEC-Q等可靠性国际试验标准。
◉ 服务优势
◉ 服务流程
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