南宫NG28

　　随着科技的迅速发展，半导体器件越来越多地融入南宫NG28的生活。半导体的可靠性是产品重要特性之一，而在高湿度环境下的运行能力则是考验模块可靠性的一个关键指标。

　　半导体湿度相关的试验包括高压蒸煮（PCT）、温度湿度偏置（THB）、高加速应力试验（HAST）、潮湿敏感度试验（MSL）等。

　　PART 01：高压蒸煮（PCT）

　　高压蒸煮试验（PCT）也称为“高压锅试验”。在半导体行业中，该试验尤其用于评估半导体封装的抗湿气能力，以防止因湿气引起的缺陷，如爆米花效应、金属化区域腐蚀或封装体引脚间短路等问题。

　　气压通常为（15±1）psi，温度为121℃，湿度保持100%的相对湿度（RH）。

　　PART 02：温度湿度偏置（THB）

　　温湿度偏置试验（THB）也称为蒸煮试验。温湿度偏置试验是一种最常用的加速试验，目的是用于试验器件中潮气的侵入、引脚、焊盘和金属化的腐蚀，并伴随有大的漏电流。

　　温湿度偏压试验通常在最大额定工作电压、温度（85±2)℃和相对湿度85%±5%下开展，试验前后测试元器件电参数。

　　PART 03：高加速应力试验（HAST）

　　高加速应力试验（HAST），提高了的温度和湿度组成，也可伴随电流受控的电压偏置。该试验可导致金属化和焊盘腐蚀、界面分层、金属间化合物生长、键合失效和绝缘电阻降低。

　　在典型的HAST试验中，它采用不饱和蒸汽，恒定相对湿度范围从80%~100%，恒定温度通常大于100℃，一般在120~145℃之间。

　　PART 04：潮湿敏感度试验（MSL）

　　潮湿敏感度试验（MSL），由于表面贴装塑封电子器件封装的模塑料在吸收潮气后很容易导致塑料材料的裂纹，或是在经历高温回流焊时导致芯片和引线架之间分层。高水汽含量、高热应力、封装设计特征共同作用，致使其结构强度低且易产生或扩散裂纹。在车用电子元器件AEC标准中，一般要求元器件MSL等级满足3等级要求。

　　根据IPC/JEDEC标准的潮湿敏感等级划分（见表1）。

　　表1为潮湿敏感度（MSL）分类
　　 

　　CTI南宫NG28检测提供专业的半导体测试及分析服务，通过全面多样的服务内容、精准高效的测试结果及在细分领域中积累的经验，全面助力“芯”发展。